芯片射頻工程師

部門 研發(fā)部 截至時間 2025-12-31
招聘人數(shù) 1 工作經(jīng)驗要求 3-5年
專業(yè)要求 電子科學與技術、微電子科學與工程、信息工程、計算機科學與技術相關專業(yè) 學歷要求 全日制本科以上

職位詳情：

崗位職責：

1、負責GaAs或者GaN工藝芯片的射頻設計和仿真工作；
2、負責芯片的在片測試及常規(guī)實驗；
3、負責射頻類芯片電路的設計工作；
4、提交所負責模塊的芯片研發(fā)報告方案。


任職要求：

1、工作認真負責、具有良好的溝通協(xié)調(diào)能力、團隊合作精神、敬業(yè)精神；
2、一年及以上GaAs工藝或者GaN工藝射頻類芯片開發(fā)相關工作經(jīng)驗，熟悉GaAs或者GaN工藝，對主要射頻類芯片電路結(jié)構(gòu)有比較深入了解；
3、電磁場與微波技術、微電子、通信等相關專業(yè)碩士及以上學歷，熟悉GaAs工藝或者GaN工藝射頻芯片開發(fā)，具有流片經(jīng)驗者優(yōu)先；
4、熟練使用EDA設計工具、EM仿真工具、射頻測試儀器
5、能獨立選擇合適的GaAs工藝或者GaN工藝，完成相關射頻類芯片的設計和測試工作；
6、工作地址：成都市武侯區(qū)武興四路 195 號 C8 數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園2棟1/2單元6樓。